Memoria flexible hecha con nanotransistores
Un equipo de investigadores del Reino Unido ha desarrollado un nuevo tipo de componente de memoria a nanoescala que algún día podría ser usado para almacenar más datos en los gadgets. El dispositivo almacena bits de información usando la conductividad de unos nanotransistores hechos de óxido de zinc.
La semana pasada, los investigadores publicaron en línea en la revista Nano Letters un artículo sobre un prototipo de dispositivo de memoria fabricado sobre un sustrato de silicio rígido. Actualmente, en el mismo laboratorio están probando unos nuevos dispositivos de memoria flexibles, comenta Junginn Sohn, investigador del Centro de Nanociencia de la Universidad de Cambridge y autor principal del artículo de Nano Letters.
El dispositivo de nanocables almacena los datos eléctricamente y es no volátil, lo que significa que retiene los datos cuando la unidad se apaga, como también lo hacen las memorias flash hechas con silicio que se encuentran en los teléfonos de tipo smartphone y en las tarjetas de memoria.
La nueva memoria no puede retener los datos durante tanto tiempo como la flash, y es más lenta y tiene menos ciclos de reescritura, pero podría hacerse más pequeña y empaquetarla más densamente. Además, su principal ventaja, afirma Sohn, es que se fabrica mediante procesos simples a temperatura ambiente, lo que significa que puede ser depositada en la superficie de materiales plásticos flexibles. Por ejemplo, se podría integrar memoria de nanocables a una pantalla flexible y podría ocupar menos espacio en los teléfonos, reproductores de MP3, etiquetas RFID de plástico y tarjetas de crédito.
Los elementos de memoria flash contienen transistores que almacenan los bits de datos (un 1 o 0) con la presencia o ausencia de carga en un electrodo de entrada. Sin embargo, al igual que en otros dispositivos electrónicos fabricados con silicio, los flash se enfrentan a los límites físicos en término a cuanto pueden ser miniaturizados.
Los elementos de memoria ya son de 25 nanómetros, lo que se traduce en una densidad de datos de un terabit por pulgada cuadrada, y se prevé que lleguen a su límite de tamaño mínimo de unos 20 nanómetros a finales de 2011. Las empresas están aumentando la densidad de memoria flash mediante la inclusión de dos bits, o 4 valores, en cada celda: 00, 01, 10 y 11.
El dispositivo de nanocables también puede almacenar cuatro valores, en forma de diferentes niveles de conductividad. Se basa en un transistor de nanocables de óxido de zinc, que los investigadores fabrican colocando un nanocable en un substrato de silicio y depositando y drenando electrones electrodos por ambos extremos del cable. Recubren el cable con nanopartículas de titanato de bario y encima del recubrimiento depositan una capa de electrodo de entrada de aluminio.
Un voltaje de de entrada positivo acumula cargas positivas en cada uno de los nanocables y pone el dispositivo en un estado de alta conductividad. Un voltaje negativo lo cambia a un estado de baja conductividad. Los investigadores utilizaron cuatro voltajes diferentes para crear cuatro estados de conductancia.